A Samsung anunciou hoje uma versão atualizada de sua DRAM DDR16 de 5 Gb. A memória é construída na tecnologia de processo de classe de 12 nm, atualizando o produto EUV de 14 nm atualmente no mercado.
A nova DDR5 DRAM também foi anunciada para ser compatível com produtos AMD: ela foi otimizada e validada em plataformas Zen.
Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de produtos e tecnologia DRAM da Samsung, disse que o novo padrão seria um fator-chave para impulsionar a adoção de DDR5 DRAM em todo o mercado.
É fabricado com o uso de um novo material que aumenta a capacidade da célula e uma tecnologia de design proprietária que melhora as características críticas do circuito.
A nova DRAM é baseada na litografia EUV (Ultravioleta Extremo), que permite maior densidade de molde e 20% melhor rendimento de wafer. Também consome 23% menos energia, abrindo caminho para melhores operações ecológicas entre as empresas de TI.
Espera-se que os primeiros cartões de memória com o novo DDR5 DRAM comecem a ser enviados em 2023.
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